Антава

VISHAY

Транзистор SQA410CEJW-T1_GE3

Type of transistor
N-MOSFET
Технология
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
20 V
Drain current
7.8 A
Рассеиваемая мощность
13.6 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSQA410CEJW-T1_GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage20 V
Drain current7.8 A
Рассеиваемая мощность13.6 W
КорпусPowerPAK® SC70
Gate-source voltage±8 V
On-state resistance45.4 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge5.1nC
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 7.8A; 13.6W

Документация

Документы пока не предоставлены.