VISHAY

Транзистор SQA405CEJW-T1_GE3

Фото уточняется

Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -9A
Pulsed drain current: -36A

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	SQA405CEJW-T1_GE3
Производитель	VISHAY
Type of transistor	P-MOSFET
Technology	TrenchFET®
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	-40V
Drain current	-9A
Pulsed drain current	-36A
Power dissipation	13.6W
Gate-source voltage	±20V
On-state resistance	72.7mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	34nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -9A; Idm: -36A

Документация

Документы пока не предоставлены.