VISHAY

Транзистор SQA401EJ-T1_GE3

SQA401EJ-T1_GE3

Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20 V
Drain current: -3.75 A
Pulsed drain current: -12 A
Power dissipation: 13.6 W

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	SQA401EJ-T1_GE3
Производитель	VISHAY
Type of transistor	P-MOSFET
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	-20 V
Drain current	-3.75 A
Pulsed drain current	-12 A
Power dissipation	13.6 W
Корпус	SC70-6
Gate-source voltage	±12 V
On-state resistance	0.125 Ω
Монтаж	SMD — поверхностный
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.75A; Idm: -12A; 13.6W

Документация

Документы пока не предоставлены.