VISHAY

Транзистор SQA401EEJ-T1_GE3

PowerPAK® SC70Изображение корпуса

Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20 V
Drain current: -1.55 A
Power dissipation: 4.5 W
Корпус: PowerPAK® SC70

Цены и наличие Все характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	SQA401EEJ-T1_GE3
Производитель	VISHAY
Type of transistor	P-MOSFET
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	-20 V
Drain current	-1.55 A
Power dissipation	4.5 W
Корпус	PowerPAK® SC70
Gate-source voltage	±8 V
On-state resistance	113 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	5.3nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.55A; 4.5W; PowerPAK® SC70

Документация

Документ производителя