Антава

VISHAY

Транзистор SQ9407EY-T1_BE3

SQ9407EY-T1_BE3
Type of transistor
P-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-60 V
Drain current
-4.6 A
Рассеиваемая мощность
3.75 W
Корпус
SO8

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Характеристики

Артикул производителяSQ9407EY-T1_BE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorP-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-60 V
Drain current-4.6 A
Рассеиваемая мощность3.75 W
КорпусSO8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance0.115 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -4.6A; 3.75W; SO8

Документация

Документы пока не предоставлены.