VISHAY

Транзистор SQ4961EY-T1-GE3

SQ4961EY-T1-GE3

Type of transistor: P-MOSFET x2
Технология: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60 V
Drain current: -4.4 A
Pulsed drain current: -18 A

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	SQ4961EY-T1-GE3
Производитель	VISHAY
Type of transistor	P-MOSFET x2
Технология	TrenchFET®
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	-60 V
Drain current	-4.4 A
Pulsed drain current	-18 A
Power dissipation	3.3 W
Корпус	SO8
Gate-source voltage	±20 V
On-state resistance	176 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	40nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -60V; -4.4A; 3.3W

Документация

Документы пока не предоставлены.