Антава

VISHAY

Транзистор SQ4949EY-T1_GE3

SQ4949EY-T1_GE3
Type of transistor
P-MOSFET x2
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-30 V
Drain current
-4.3 A
Корпус
SO8
Gate-source voltage
±30 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSQ4949EY-T1_GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorP-MOSFET x2
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-30 V
Drain current-4.3 A
КорпусSO8
Gate-source voltage±30 V
МонтажSMD — поверхностный
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -4.3A; SO8

Документация

Документы пока не предоставлены.