Антава

VISHAY

Транзистор SQ4940CEY-T1_GE3

SQ4940CEY-T1_GE3
Type of transistor
N-MOSFET x2
Технология
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
40 V
Drain current
8 A
Рассеиваемая мощность
4 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSQ4940CEY-T1_GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET x2
ТехнологияTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage40 V
Drain current8 A
Рассеиваемая мощность4 W
КорпусSO8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance24 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge11.2nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 40V; 8A; 4W; SO8

Документация

Документы пока не предоставлены.