VISHAY
Транзистор SQ4940AEY-T1_GE3
- Type of transistor
- N-MOSFET x2
- Технология
- TrenchFET®
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- 40 V
- Drain current
- 5.3 A
- Pulsed drain current
- 32 A
Фото справочное.
Цена и заказ
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 323 шт.
Срок: 6–7 недель Данные на
Цена / шт. · с НДС 22%157,66 ₽
Сумма · с НДС 22%157,66 ₽
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 157,66 ₽ | |
| от 5 | 141,70 ₽ | |
| от 25 | 126,89 ₽ | |
| от 100 | 118,53 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | SQ4940AEY-T1_GE3 |
|---|---|
| Производитель | VISHAY |
| Type of transistor | N-MOSFET x2 |
| Технология | TrenchFET® |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 40 V |
| Drain current | 5.3 A |
| Pulsed drain current | 32 A |
| Power dissipation | 1.3 W |
| Корпус | SO8 |
| Gate-source voltage | ±20 V |
| On-state resistance | 29 mΩ |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Gate charge | 43nC |
| Kind of package | reel, tape |
| Kind of channel | enhancement |
| Application | automotive industry |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 40V; 5.3A; Idm: 32A
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.