Антава

VISHAY

Транзистор SQ4917CEY-T1_GE3

SQ4917CEY-T1_GE3
Type of transistor
P-MOSFET x2
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-60 V
Drain current
-8 A
Pulsed drain current
-32 A
Рассеиваемая мощность
5 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSQ4917CEY-T1_GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorP-MOSFET x2
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-60 V
Drain current-8 A
Pulsed drain current-32 A
Рассеиваемая мощность5 W
КорпусSO8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance48 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -60V; -8A; Idm: -32A; 5W; SO8

Документация

Документы пока не предоставлены.