Антава

VISHAY

Транзистор SQ4840CEY-T1_GE3

SQ4840CEY-T1_GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
40 V
Drain current
12 A
Pulsed drain current
82 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSQ4840CEY-T1_GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage40 V
Drain current12 A
Pulsed drain current82 A
Power dissipation7.1 W
КорпусSO8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance6.2 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge44.8nC
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 12A; Idm: 82A; 7.1W

Документация

Документы пока не предоставлены.