Антава

VISHAY

Транзистор SQ4532AEY-T1_GE3

Type of transistor
N/P-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30 V
Рассеиваемая мощность
3.3 W
Корпус
SOIC8
Gate-source voltage
±20 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSQ4532AEY-T1_GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN/P-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30 V
Рассеиваемая мощность3.3 W
КорпусSOIC8
Gate-source voltage±20 V
МонтажSMD — поверхностный
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30V; 3.3W; SOIC8

Документация

Документы пока не предоставлены.