Антава

VISHAY

Транзистор SQ4470EY-T1_GE3

SQ4470EY-T1_GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60 V
Drain current
9 A
Pulsed drain current
67 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSQ4470EY-T1_GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60 V
Drain current9 A
Pulsed drain current67 A
Рассеиваемая мощность7.1 W
КорпусSO8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance12 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge45nC
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 9A; Idm: 67A; 7.1W

Документация

Документы пока не предоставлены.