Антава

VISHAY

Транзистор SQ4435EY-T1_GE3

SQ4435EY-T1_GE3
Type of transistor
P-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-30 V
Drain current
-15 A
Power dissipation
6.8 W
Корпус
SO8
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSQ4435EY-T1_GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorP-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-30 V
Drain current-15 A
Power dissipation6.8 W
КорпусSO8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance13 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -15A; 6.8W; SO8

Документация

Документы пока не предоставлены.