Антава

VISHAY

Транзистор SQ4284EY-T1_GE3

SQ4284EY-T1_GE3
Type of transistor
N-MOSFET x2
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
40 V
Drain current
7.4 A
Рассеиваемая мощность
3.9 W
Корпус
SO8
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSQ4284EY-T1_GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET x2
Polarisationunipolar
Drain-source voltage40 V
Drain current7.4 A
Рассеиваемая мощность3.9 W
КорпусSO8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance13.5 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge30nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 7.4A; 3.9W; SO8

Документация

Документ производителя