Антава

VISHAY

Транзистор SQ4184EY-T1_GE3

SQ4184EY-T1_GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
40 V
Drain current
16.9 A
Pulsed drain current
84 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSQ4184EY-T1_GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage40 V
Drain current16.9 A
Pulsed drain current84 A
Power dissipation7.1 W
КорпусSO8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance4.6 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge110nC
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 16.9A; Idm: 84A

Документация

Документы пока не предоставлены.