Антава

VISHAY

Транзистор SQ4182EY-T1_BE3

SQ4182EY-T1_BE3
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30 V
Drain current
18 A
Pulsed drain current
100 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSQ4182EY-T1_BE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30 V
Drain current18 A
Pulsed drain current100 A
Рассеиваемая мощность7.1 W
КорпусSO8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance3.8 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge72nC
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 18A; Idm: 100A

Документация

Документы пока не предоставлены.