Антава

VISHAY

Транзистор SQ4153EY-T1_GE3

SQ4153EY-T1_GE3
Type of transistor
P-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-12 V
Drain current
-14 A
Рассеиваемая мощность
2.3 W
Корпус
SO8
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 2 246 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%465,33 ₽

Сумма · с НДС 22%465,33 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1465,33 ₽
от 10250,99 ₽
от 25229,00 ₽
от 50218,01 ₽
от 100210,68 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяSQ4153EY-T1_GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorP-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-12 V
Drain current-14 A
Рассеиваемая мощность2.3 W
КорпусSO8
Gate-source voltage±8 V
On-state resistance8.32 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge151nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -14A; 2.3W; SO8

Документация

Документ производителя