Антава

VISHAY

Транзистор SQ4080EY-T1_GE3

SQ4080EY-T1_GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
150V
Drain current
18A
Pulsed drain current
72A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSQ4080EY-T1_GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage150V
Drain current18A
Pulsed drain current72A
Power dissipation7.1W
КорпусSO8
Gate-source voltage±20V
On-state resistance70mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge25nC
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 18A; Idm: 72A

Документация

Документы пока не предоставлены.