Антава

VISHAY

Транзистор SQ4064EY-T1_BE3

SQ4064EY-T1_BE3
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60V
Drain current
6.9A
Pulsed drain current
25A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSQ4064EY-T1_BE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60V
Drain current6.9A
Pulsed drain current25A
Power dissipation6.8W
КорпусSO8
Gate-source voltage±20V
On-state resistance19.8mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge29nC
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 6.9A; Idm: 25A

Документация

Документы пока не предоставлены.