VISHAY

Транзистор SQ3989EV-T1_GE3

SQ3989EV-T1_GE3

Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30 V
Drain current: -2.5 A
Power dissipation: 1.67 W
Корпус: SC74, TSOP6

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	SQ3989EV-T1_GE3
Производитель	VISHAY
Type of transistor	P-MOSFET x2
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	-30 V
Drain current	-2.5 A
Power dissipation	1.67 W
Корпус	SC74, TSOP6
Gate-source voltage	±20 V
On-state resistance	0.14 Ω
Монтаж	SMD — поверхностный
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -2.5A; 1.67W; SC74,TSOP6

Документация

Документы пока не предоставлены.