Антава

VISHAY

Транзистор SQ3495EV-T1_GE3

SQ3495EV-T1_GE3
Type of transistor
P-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-30 V
Drain current
-7 A
Pulsed drain current
-32 A
Рассеиваемая мощность
5 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSQ3495EV-T1_GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorP-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-30 V
Drain current-7 A
Pulsed drain current-32 A
Рассеиваемая мощность5 W
КорпусSC74, TSOP6
Gate-source voltage±12 V
On-state resistance21 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7A; Idm: -32A; 5W; SC74,TSOP6

Документация

Документы пока не предоставлены.