Антава

VISHAY

Транзистор SQ3427EV-T1_GE3

SQ3427EV-T1_GE3
Type of transistor
P-MOSFET
Технология
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-60 V
Drain current
-5.3 A
Pulsed drain current
-21 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 906 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%236,97 ₽

Сумма · с НДС 22%236,97 ₽

От 1 шт.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1236,97 ₽
от 5182,81 ₽
от 25132,40 ₽
от 50114,91 ₽
от 100100,05 ₽
от 25084,26 ₽
от 50076,73 ₽
от 300072,41 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяSQ3427EV-T1_GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorP-MOSFET
ТехнологияTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-60 V
Drain current-5.3 A
Pulsed drain current-21 A
Power dissipation5 W
КорпусSC74, TSOP6
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance178 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge22nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -5.3A; Idm: -21A

Документация

Документы пока не предоставлены.