Антава

VISHAY

Транзистор SQ3419AEEV-T1_GE3

SQ3419AEEV-T1_GE3
Type of transistor
P-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-40V
Drain current
-6.9A
Power dissipation
5W
Корпус
SC74, TSOP6
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSQ3419AEEV-T1_GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorP-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-40V
Drain current-6.9A
Power dissipation5W
КорпусSC74, TSOP6
Gate-source voltage±12V
On-state resistance48mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -6.9A; 5W; SC74,TSOP6

Документация

Документы пока не предоставлены.