Антава

VISHAY

Транзистор SQ3419AEEV-T1_BE3

SQ3419AEEV-T1_BE3
Type of transistor
P-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-40 V
Drain current
-4 A
Pulsed drain current
-27 A
Рассеиваемая мощность
5 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSQ3419AEEV-T1_BE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorP-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-40 V
Drain current-4 A
Pulsed drain current-27 A
Рассеиваемая мощность5 W
КорпусSC74, TSOP6
Gate-source voltage±12 V
On-state resistance61 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -4A; Idm: -27A; 5W; SC74,TSOP6

Документация

Документы пока не предоставлены.