Антава

VISHAY

Транзистор SQ2389ES-T1_GE3

SQ2389ES-T1_GE3
Type of transistor
P-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-40 V
Drain current
-4.1 A
Pulsed drain current
-16 A
Рассеиваемая мощность
1 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 8 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%120,02 ₽

Сумма · с НДС 22%120,02 ₽

Проверяем актуальные условия

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1120,02 ₽
от 10113,27 ₽
от 5095,27 ₽
от 10085,14 ₽
от 50063,95 ₽
от 100057,39 ₽
от 150054,39 ₽
от 300054,01 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяSQ2389ES-T1_GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorP-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-40 V
Drain current-4.1 A
Pulsed drain current-16 A
Рассеиваемая мощность1 W
КорпусSOT23
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance169 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge12nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -4.1A; Idm: -16A; 1W; SOT23

Документация

Документы пока не предоставлены.