Антава

VISHAY

Транзистор SQ2364EES-T1_GE3

SQ2364EES-T1_GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60 V
Drain current
1.3 A
Рассеиваемая мощность
1 W
Корпус
SOT23
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 2 789 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%191,15 ₽

Сумма · с НДС 22%191,15 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1191,15 ₽
от 1097,92 ₽
от 2589,26 ₽
от 5083,13 ₽
от 10077,18 ₽
от 50072,85 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяSQ2364EES-T1_GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60 V
Drain current1.3 A
Рассеиваемая мощность1 W
КорпусSOT23
Gate-source voltage±8 V
On-state resistance245 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge2nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
VersionESD
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.3A; 1W; SOT23; ESD

Документация

Документы пока не предоставлены.