Антава

VISHAY

Транзистор SQ2362CES-T1_GE3

SQ2362CES-T1_GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60 V
Drain current
4.3 A
Power dissipation
3 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSQ2362CES-T1_GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60 V
Drain current4.3 A
Power dissipation3 W
КорпусSOT23
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance68 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge8.1nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 4.3A; 3W; SOT23

Документация

Документы пока не предоставлены.