Антава

VISHAY

Транзистор SQ2351ES-T1_GE3

SQ2351ES-T1_GE3
Type of transistor
P-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-20 V
Drain current
-1.8 A
Рассеиваемая мощность
2 W
Корпус
SOT23
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 197 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%142,76 ₽

Сумма · с НДС 22%142,76 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1142,76 ₽
от 566,87 ₽
от 2560,11 ₽
от 10052,97 ₽
от 50047,52 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяSQ2351ES-T1_GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorP-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-20 V
Drain current-1.8 A
Рассеиваемая мощность2 W
КорпусSOT23
Gate-source voltage±12 V
On-state resistance0.115 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge5.5nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.8A; 2W; SOT23

Документация

Документ производителя