Антава

VISHAY

Транзистор SQ2337CEST1GE3

SQ2337CEST1GE3
Type of transistor
P-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-80 V
Drain current
-2.2 A
Power dissipation
3 W
Корпус
SOT23
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSQ2337CEST1GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorP-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-80 V
Drain current-2.2 A
Power dissipation3 W
КорпусSOT23
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance0.29 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -80V; -2.2A; 3W; SOT23

Документация

Документы пока не предоставлены.