Антава

VISHAY

Транзистор SQ2319CES-T1_GE3

SQ2319CES-T1_GE3
Type of transistor
P-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-40 V
Drain current
-2.6 A
Pulsed drain current
-18 A
Power dissipation
1 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSQ2319CES-T1_GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorP-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-40 V
Drain current-2.6 A
Pulsed drain current-18 A
Power dissipation1 W
КорпусSOT23
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance0.145 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge16nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -2.6A; Idm: -18A; 1W; SOT23

Документация

Документы пока не предоставлены.