Антава

VISHAY

Транзистор SQ2318CES-T1_GE3

SQ2318CES-T1_GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
40 V
Drain current
4 A
Pulsed drain current
28 A
Power dissipation
1 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSQ2318CES-T1_GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage40 V
Drain current4 A
Pulsed drain current28 A
Power dissipation1 W
КорпусSOT23
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance63 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge13nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 4A; Idm: 28A; 1W; SOT23

Документация

Документ производителя