Антава

VISHAY

Транзистор SQ2315ES-T1_GE3

SQ2315ES-T1_GE3
Type of transistor
P-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-12 V
Drain current
-5 A
Pulsed drain current
-20 A
Рассеиваемая мощность
0.67 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 1 146 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%121,83 ₽

Сумма · с НДС 22%121,83 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1121,83 ₽
от 585,85 ₽
от 1071,98 ₽
от 5048,92 ₽
от 10045,17 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяSQ2315ES-T1_GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorP-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-12 V
Drain current-5 A
Pulsed drain current-20 A
Рассеиваемая мощность0.67 W
КорпусSOT23
Gate-source voltage±8 V
On-state resistance75 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge13nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -5A; Idm: -20A; 0.67W; SOT23

Документация

Документы пока не предоставлены.