VISHAY

Транзистор SQ2309CES-T1_GE3

SQ2309CES-T1_GE3

Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60 V
Drain current: -1.7 A
Power dissipation: 2 W
Корпус: SOT23

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	SQ2309CES-T1_GE3
Производитель	VISHAY
Type of transistor	P-MOSFET
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	-60 V
Drain current	-1.7 A
Power dissipation	2 W
Корпус	SOT23
On-state resistance	335 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	5.5nC
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.7A; 2W; SOT23

Документация

Документы пока не предоставлены.