Антава

VISHAY

Транзистор SQ2309CES-T1_BE3

SQ2309CES-T1_BE3
Type of transistor
P-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-60 V
Drain current
-1 A
Pulsed drain current
-6.8 A
Рассеиваемая мощность
2 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSQ2309CES-T1_BE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorP-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-60 V
Drain current-1 A
Pulsed drain current-6.8 A
Рассеиваемая мощность2 W
КорпусSOT23
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance335 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1A; Idm: -6.8A; 2W; SOT23

Документация

Документы пока не предоставлены.