Антава

VISHAY

Транзистор SQ2308CES-T1_BE3

SQ2308CES-T1_BE3
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60 V
Drain current
2.3 A
Рассеиваемая мощность
2 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSQ2308CES-T1_BE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60 V
Drain current2.3 A
Рассеиваемая мощность2 W
КорпусSOT23
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance0.15 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge3.5nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 2.3A; 2W; SOT23

Документация

Документы пока не предоставлены.