Антава

VISHAY

Транзистор SQ2303ES-T1_GE3

SQ2303ES-T1_GE3
Type of transistor
P-MOSFET
Технология
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-30 V
Drain current
-2.5 A
Pulsed drain current
-10 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 1 370 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%102,88 ₽

Сумма · с НДС 22%102,88 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1102,88 ₽
от 584,83 ₽
от 1075,62 ₽
от 10051,26 ₽
от 50041,33 ₽
от 100037,54 ₽
от 300035,74 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяSQ2303ES-T1_GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorP-MOSFET
ТехнологияTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-30 V
Drain current-2.5 A
Pulsed drain current-10 A
Рассеиваемая мощность1.9 W
КорпусSOT23
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance370 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge6.8nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -2.5A; Idm: -10A

Документация

Документы пока не предоставлены.