Антава

VISHAY

Транзистор SQ2301ES-T1_BE3

SQ2301ES-T1_BE3
Type of transistor
P-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-20 V
Drain current
-2.2 A
Pulsed drain current
-15 A
Рассеиваемая мощность
3 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSQ2301ES-T1_BE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorP-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-20 V
Drain current-2.2 A
Pulsed drain current-15 A
Рассеиваемая мощность3 W
КорпусSOT23
Gate-source voltage±8 V
On-state resistance0.12 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.2A; Idm: -15A; 3W; SOT23

Документация

Документы пока не предоставлены.