VISHAY

Транзистор SQ1912AEEH-T1-GE3

SQ1912AEEH-T1-GE3

Type of transistor: N-MOSFET x2
Технология: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20 V
Drain current: 0.8 A
Pulsed drain current: 3 A

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	SQ1912AEEH-T1-GE3
Производитель	VISHAY
Type of transistor	N-MOSFET x2
Технология	TrenchFET®
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	20 V
Drain current	0.8 A
Pulsed drain current	3 A
Power dissipation	1.5 W
Корпус	SC70-6, SOT363
Gate-source voltage	±12 V
On-state resistance	0.2 Ω
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	1.25nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 20V; 0.8A; Idm: 3A

Документация

Документы пока не предоставлены.