Антава

VISHAY

Транзистор SQ1902AEL-T1_GE3

SQ1902AEL-T1_GE3
Type of transistor
N-MOSFET x2
Технология
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
20 V
Drain current
0.45 A
Pulsed drain current
3 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSQ1902AEL-T1_GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET x2
ТехнологияTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage20 V
Drain current0.45 A
Pulsed drain current3 A
Рассеиваемая мощность0.43 W
КорпусSC70-6, SOT363
Gate-source voltage±12 V
On-state resistance415 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge1.2nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 20V; 0.45A; Idm: 3A

Документация

Документы пока не предоставлены.