Антава

VISHAY

Транзистор SQ1539EH-T1_GE3

SQ1539EH-T1_GE3
Type of transistor
N/P-MOSFET
Технология
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30/-30 V
Drain current
0.85/-0.85 A
Рассеиваемая мощность
1.5 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 3 378 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%134,22 ₽

Сумма · с НДС 22%134,22 ₽

Проверяем актуальные условия

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1134,22 ₽
от 1089,73 ₽
от 2574,65 ₽
от 5065,64 ₽
от 10058,65 ₽
от 50047,25 ₽
от 150041,00 ₽
от 300039,16 ₽
от 900037,14 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяSQ1539EH-T1_GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN/P-MOSFET
ТехнологияTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30/-30 V
Drain current0.85/-0.85 A
Рассеиваемая мощность1.5 W
КорпусSC70-6, SOT363
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance1.8 Ω/380 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge1.6/1.4nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30/-30V; 1.5W

Документация

Документы пока не предоставлены.