Антава

VISHAY

Транзистор SQ1470AEH-T1_GE3

SQ1470AEH-T1_GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30 V
Drain current
1.7 A
Pulsed drain current
6.7 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 2 873 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%169,34 ₽

Сумма · с НДС 22%169,34 ₽

Проверяем актуальные условия

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1169,34 ₽
от 1094,34 ₽
от 5074,06 ₽
от 10067,18 ₽
от 50053,59 ₽
от 300042,24 ₽
от 600040,75 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяSQ1470AEH-T1_GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30 V
Drain current1.7 A
Pulsed drain current6.7 A
Рассеиваемая мощность3.3 W
КорпусSC70-6, SOT363
Gate-source voltage±12 V
On-state resistance0.115 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge5.2nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 1.7A; Idm: 6.7A

Документация

Документы пока не предоставлены.