Антава

VISHAY

Транзистор SQ1464EEH-T1_GE3

SQ1464EEH-T1_GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60 V
Drain current
0.44 A
Power dissipation
0.43 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSQ1464EEH-T1_GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60 V
Drain current0.44 A
Power dissipation0.43 W
КорпусSC70-6, SOT363
Gate-source voltage±8 V
On-state resistance1.41 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge4.1nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 0.44A; 0.43W

Документация

Документы пока не предоставлены.