Антава

INFINEON

Транзистор SPP80P06PHXKSA1

SPP80P06PHXKSA1
Type of transistor
P-MOSFET
Технология
SIPMOS™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-60 V
Drain current
-80 A
Power dissipation
340 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSPP80P06PHXKSA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorP-MOSFET
ТехнологияSIPMOS™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-60 V
Drain current-80 A
Power dissipation340 W
КорпусPG-TO220-3
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance23 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -80A; 340W; PG-TO220-3

Документация

Документ производителя