Антава

INFINEON

Транзистор SPP18P06PHXKSA1

SPP18P06PHXKSA1
Type of transistor
P-MOSFET
Технология
SIPMOS™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-60 V
Drain current
-18.7 A
Power dissipation
81.1 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSPP18P06PHXKSA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorP-MOSFET
ТехнологияSIPMOS™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-60 V
Drain current-18.7 A
Power dissipation81.1 W
КорпусPG-TO220-3
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance0.13 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -18.7A; 81.1W; PG-TO220-3

Документация

Документ производителя