Антава

INFINEON

Транзистор SPD50N03S207GBTMA1

SPD50N03S207GBTMA1
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
OptiMOS™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30 V
Drain current
50 A
Power dissipation
136 W

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 1 328 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%112,07 ₽

Сумма · с НДС 22%112,07 ₽

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1112,07 ₽
от 5108,65 ₽
от 25102,95 ₽
от 10099,34 ₽
от 50093,26 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяSPD50N03S207GBTMA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияOptiMOS™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30 V
Drain current50 A
Power dissipation136 W
КорпусPG-TO252-3
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance7.3 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; 136W; PG-TO252-3

Документация

Документ производителя