INFINEON
Транзистор SPD50N03S207GBTMA1
- Type of transistor
- N-MOSFET
- Технология
- OptiMOS™
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- 30 V
- Drain current
- 50 A
- Power dissipation
- 136 W
Фото справочное.
Цена и заказ
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 1 328 шт.
Срок: 6–7 недель Данные на
Цена / шт. · с НДС 22%112,07 ₽
Сумма · с НДС 22%112,07 ₽
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 112,07 ₽ | |
| от 5 | 108,65 ₽ | |
| от 25 | 102,95 ₽ | |
| от 100 | 99,34 ₽ | |
| от 500 | 93,26 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | SPD50N03S207GBTMA1 |
|---|---|
| Производитель | INFINEON |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Технология | OptiMOS™ |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 30 V |
| Drain current | 50 A |
| Power dissipation | 136 W |
| Корпус | PG-TO252-3 |
| Gate-source voltage | ±20 V |
| On-state resistance | 7.3 mΩ |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Kind of channel | enhancement |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; 136W; PG-TO252-3
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.