INFINEON

Транзистор SPD50N03S207GBTMA1

SPD50N03S207GBTMA1

Type of transistor: N-MOSFET
Технология: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30 V
Drain current: 50 A
Power dissipation: 136 W

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	SPD50N03S207GBTMA1
Производитель	INFINEON
Type of transistor	N-MOSFET
Технология	OptiMOS™
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	30 V
Drain current	50 A
Power dissipation	136 W
Корпус	PG-TO252-3
Gate-source voltage	±20 V
On-state resistance	7.3 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; 136W; PG-TO252-3

Документация

Документ производителя