Антава

INFINEON

Транзистор SPD30P06PGBTMA1

SPD30P06PGBTMA1
Type of transistor
P-MOSFET
Технология
SIPMOS™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-60 V
Drain current
-30 A
Рассеиваемая мощность
125 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 368 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%342,37 ₽

Сумма · с НДС 22%342,37 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1342,37 ₽
от 5290,11 ₽
от 10255,88 ₽
от 50176,59 ₽
от 100162,18 ₽
от 500153,17 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяSPD30P06PGBTMA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorP-MOSFET
ТехнологияSIPMOS™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-60 V
Drain current-30 A
Рассеиваемая мощность125 W
КорпусPG-TO252-3
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance75 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -30A; 125W; PG-TO252-3

Документация

Документ производителя