Антава

INFINEON

Транзистор SPD18P06PGBTMA1

SPD18P06PGBTMA1
Type of transistor
P-MOSFET
Technology
SIPMOS™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-60 V
Drain current
-18.6 A
Power dissipation
80 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSPD18P06PGBTMA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorP-MOSFET
TechnologySIPMOS™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-60 V
Drain current-18.6 A
Power dissipation80 W
КорпусPG-TO252-3
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance0.13 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -18.6A; 80W; PG-TO252-3

Документация

Документ производителя