Антава

INFINEON

Транзистор SPD18P06PGBTMA1

SPD18P06PGBTMA1
Type of transistor
P-MOSFET
Технология
SIPMOS™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-60 V
Drain current
-18.6 A
Power dissipation
80 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 2 325 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%341,30 ₽

Сумма · с НДС 22%341,30 ₽

От 1 шт.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1341,30 ₽
от 10249,78 ₽
от 15232,62 ₽
от 50196,39 ₽
от 100177,32 ₽
от 500150,63 ₽
от 1000146,82 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяSPD18P06PGBTMA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorP-MOSFET
ТехнологияSIPMOS™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-60 V
Drain current-18.6 A
Power dissipation80 W
КорпусPG-TO252-3
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance0.13 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -18.6A; 80W; PG-TO252-3

Документация

Документ производителя